Википедија

Програмабилни РОМ

Програмабилна меморија само за читање (ПРОМ) или поље програмабилна меморија само за читање (ФПРОМ) или једном програмабилна стална меморија (ОТП НВМ) је врста дигиталне меморије где је постављање сваког бита закључано осигурачем или анти-осигурачем. Она је тип РОМ меморије што значи да су подаци перманентни и да не могу бити промењени. ПРОМ се користи у дигиталној електроници у уређајима да сачува перманентне податке, углавном програме на ниском нивоу као што је фирмwаре(микрокод). Кључна разлика од обичне РОМ меморије је у томе што се код РОМ меморије подаци уписују током производње, док у ПРОМ меморију подаци се уписују након производње. Због тога, РОМ меморије се углавном код производње пуно меморије, док се ПРОМ користе код мање производње где можда постоји потреба да се подаци измене.

ПРОМ се производе празни, и у зависности од технологије, могу бити програмирани на плочи, на завршном тесту, или у систему. Празне ПРОМ меморије су програмиране тако што се прикључе на ПРОМ програматор уређај. Доступност ове технологије омогућује компанијама да чувају залихе ПРОМ меморија и да их програмирају по потреби, како би избегли чекања на набавку меморија. Ови типови меморија се често користе у микроконтролерима играчких конзола, мобилним телефонима, РФИД таговима, уградним медицинским уређајима, ХДМИ, и у многим други потрошачким уређајима и у аутомобилској индустрији.

Историја уреди

ПРОМ меморија је пронађена 1956 од стране Wен Тсинг Цхоw, током рада за Арма Дивисион Америчке Босцх Арма корпорације у Гарден цитy-у, Неw Yорк. Проналазак је био последица захтева Америчких Аир Форце јединица да се направи флексибилнији и сигурнији начин складиштења константи мета у Атлас Е/Ф ИЦБМ авионском дигиталном рачунару. Патент и технологија били су чувани у тајности неколико година док се рачунар Атлас Е/Ф као главни рачунар за навођење ракета. Термин „спржити“, који референцира на процес програмирања ПРОМ-а, је такоже у оригиналном патенту, пошто је оригинална имплементација била буквално пржење интерних длака диода са струјом преоптерећеној да произведе непрекидност кола. Први ПРОМ програмабилни уређај такође је развијен од стране Арма инжињера под директивама господина Цхоw-а, а били су лоцирани у лабораторији Арма Гарден Цитy у главном штабу Стратегијске команде ваздухопловства.

Комерцијални полупроводнички антиосигурач програматори били су достпуни од око 1969. године, са иницијалним антиосигурач бит-ним ћелијама зависним од кондензатора између укрштених проводних линија. Теxас инструментс компанија развила је МОС гате-оxиде бреакдоwн антифусе 1979. године.[1] Дуал-гате-оxиде дво-транзисторни (2Т) МОС антифусе представљен је 1982. године.[2] Раније оxиде бреакдоwн технологије изазивале су различите типове проблема скалирања, програмирања, величине и проблеме производње који су смањивали обим производње урежаја базираних на овој технологији.

Иако је антиосигурач ОТП технологија доступна деценијама, није била доступна у ЦМОС стандарду до 2001. године када је компанија Килопласс Тецхнологy Инц. патентирала 1Т, 2Т и 3.5Т антиосигурач бит ћелијску технологију коришћењем стандардног ЦМОС процеса, укључујући интеграцију ПРОМ-а у логичке ЦМОС чипове. Први чвор процеса антифусе-а који може бити имплементиран у стандарду ЦМОС-а је 0.18мм. У 2005. сплит цханнел антифусе уређај је представљен од стране Сиденсе-а.Ова сплит цханнел бит ћелија комбинује дебеле(ИО) и танке(капије) оксидне уређаје у једном транзистору(1Т) са заједничком полисликионском капијом.

Програмирање уреди

Типична ПРОМ меморија долази са свим битовима постављеним на 1. Паљењем осигурача бита током програмирања изазива постављање бита на вредност 0. Меморија може бити програмирана само једном након производње "ударањем" осигурача, што је бесповратни процес. Ударање осигурача отвара повезаност док програмирање и антиосигурач затвара повезаност(одатле и име). Пошто је "ударене" осигураче немогуће вратити на првобитно стање, често је могуће променити садржај меморије "ударањем" осталих осигурача, мењајући преостале битове вредности 1 на 0 (једном када се сви битови поставе на вредност 0, нема даљег мењања меморије).

Ћелија бита програмира се аплицирањем високог напона неуобичајеног током нормалног рада меморије преко капије и подлоге танког оксидног транзистора(око 6В за 2нм танког оксида, или 30МВ/цм) да се разбије оксид између капије и подлоге. Позитиван напон на транзисторској капији формира инверзију канала у подлози испод капије, изазивајући тунеловање струје да тече кроз оксид. Струја производи додатне замке у оксиду, повећавајући струју кроз оксид и растапање оксида и формирање кондутивног канала кроз капију до подлоге. Струја захтева да облик кондутивног канала буде око 100µА/100нм2 и да до разбијања дође око 100µс или мање[3].

Референце уреди

  1. ^ Сее УС Патент 4184207 Архивирано на сајту Wayback Machine (27. април 2018) - Хигх денситy флоатинг гате елецтрицаллy программабле РОМ, анд УС Патент 4151021 Архивирано на сајту Wayback Machine (16. октобар 2015) - Метход оф макинг а хигх денситy флоатинг гате елецтрицаллy программабле РОМ
  2. ^ Цхип Планнинг Портал. ЦхипЕстимате.цом. Ретриевед он 2013-08-10.
  3. ^ „Архивирана копија” (ПДФ). Архивирано из оригинала (ПДФ) 04. 03. 2016. г. Приступљено 05. 01. 2014. 

Литература уреди

Преузето из „https://sr.wikipedia.org/w/index.php?title=Programabilni_ROM&oldid=26780720”