Programabilni ROM — разлика између измена

Садржај обрисан Садржај додат
мНема описа измене
Autobot (разговор | доприноси)
м Разне исправке
Ред 9:
locirani u laboratoriji Arma Garden City u glavnom štabu Strategijske komande vazduhoplovstva.
 
Komercijalni poluprovodnički antiosigurač programatori bili su dostpuni od oko 1969. godine, sa inicijalnim antiosigurač bit-nim ćelijama zavisnim od kondenzatora između ukrštenih provodnih linija. Texas instruments kompanija razvila je MOS gate-oxide breakdown antifuse 1979. godine.<ref>See [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4184207&idkey=NONE US Patent 4184207] - High density floating gate electrically programmable ROM, and [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4151021&idkey=NONE US Patent 4151021] - Method of making a high density floating gate electrically programmable ROM</ref> Dual-gate-oxide dvo-tranzistorni (2T) MOS antifuse predstavljen je 1982. godine. <ref>[http://www.chipestimate.com/techtalk/techtalk_071218.html Chip Planning Portal]. ChipEstimate.com. Retrieved on 2013-08-10.</ref> Ranije oxide breakdown tehnologije izazivale su različite tipove problema skaliranja, programiranja, veličine i probleme proizvodnje koji su smanjivali obim proizvodnje urežaja baziranih na ovoj tehnologiji.
 
Iako je antiosigurač OTP tehnologija dostupna decenijama, nije bila dostupna u CMOS standardu do 2001. godine kada je kompanija Kiloplass Technology Inc. patentirala 1T, 2T i 3.5T antiosigurač bit ćelijsku tehnologiju korišćenjem standardnog CMOS procesa, uključujući integraciju PROM-a u logičke CMOS čipove. Prvi čvor procesa antifuse-a koji može biti implementiran u standardu CMOS-a je 0.18mm. U 2005. split channel antifuse uređaj je predstavljen od strane Sidense-a.Ova split channel bit ćelija kombinuje debele(IO) i tanke(kapije) oksidne uređaje u jednom tranzistoru(1T) sa zajedničkom polislikionskom kapijom.
Ред 21:
 
== Beleške ==
{{наводиreflist}}
 
 
== Reference ==
 
* View the US "Switch Matrix" Patent #3028659 at [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=03028659&idkey=NONE US Patent Office] or [http://www.google.com/patents?id=ydtHAAAAEBAJ Google]
* View Kilopass Technology Patent US "High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor and having variable gate oxide breakdown" Patent #6940751 at [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=6940751&idkey=NONE US Patent Office] or [http://www.google.com/patents/about?id=bM0VAAAAEBAJ Google]