Рачунарска меморија — разлика између измена

Садржај обрисан Садржај додат
мНема описа измене
м Бот: исправљена преусмерења
Ред 3:
У [[рачунар]]ству, меморија се односи на физичке уређаје који се користе за складиштење програма (низови инструкција) или података (нпр. информације о стању програма) привремено или трајно за употребу у рачунару или другом дигиталном [[Електроника|електронском]] уређају. Термин “[[примарна меморија]]“ се користи за информацију у физичким системима који раде на високим брзинама (нпр. [[RAM (меморија)|RAM]]), као разлика од [[Секундарна меморија|секундарне меморије]], који су физички уређаји за складиштење програма и података који имају спорији приступ, али имају већи меморијски капацитет. Примарна меморија ускладиштена на секундарној меморији се зове „[[виртуелна меморија]]“.
 
Термин „меморија“, са значењем [[примарна меморија]] је често повезана са адресабилном [[Полупроводничка меморија|полупроводничком меморијом]], тачније [[интегрисано коло|интегрисаним колима]] који се састоје из [[транзистор]]а на бази [[силикон]]а. Они се користе као примарна меморија, али имају и друге сврхе у рачунарима и другим електронским уређајима. Постоје две главне врсте полупроводничке меморије: [[постојана меморија|постојане]] и [[Непостојана меморија|непостојане]]. Примери постојане меморије су [[флеш меморија]] (некад се користи као секундарна а некад као примарна рачунарска меморија) и [[РОМ]]/[[ПРОМ]]/[[ЕПРОМ]]/[[EEPROM|ЕЕПРОМ]] меморија (користи се за фирмвер, нпр. за покретаче оперативних система). Пример за непостојане меморије су примарне меморије (углавном ДРАМ), и брза [[Процесор|ЦПЈ]] [[кеш меморија]] (углавном статички РАМ односно [[Статички РАМ|СРАМ]], који је брз али користи пуно енергије и има мањи меморијски капацитет по јединици површине од ДРАМ меморије.
 
Већина полупроводничке меморије је организована у [[меморијске ћелије]] или [[бистабилно коло|бистабилне флип-флопове]], од којих сваки садржи један [[Бит (рачунарство)|бит]] (0 или 1). Организација флеш меморије садржи и један бит по меморијској ћелији и више битова по ћелији (ова врста се зове ћелија на више нивоа, скраћено МЛЦ). Меморијске ћелије су груписане у речи фиксне дужине, на пример 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 или 128 бита. Свакој речи се може приступити бинарним адресама од Н бита, што омогућава складиштење 2 на Н речи у меморији. Следи да се [[Процесорски регистар (рачунарство)|процесорски регистри]] обично не сматрају за меморију, јер они складиште по једну реч и не садрже механизам адресирања.
Термин „сториџ“ се често користи као назив за секундарну меморију типа трака, [[магнет]]них дискова и оптичких дискова ([[ЦД-РОМ]] и [[ДВД-РОМ]]).
 
Ред 22:
 
== Непостојана меморија ==
[[Непостојана меморија]] је она меморија којој је неопходна струја да задржи ускладиштене информације. Већина модерних [[полупроводник|полупроводничких]] непостојаних меморија је или статички РАМ ([[Статички РАМ|СРАМ]]) или динамички рам ([[ДРАМ]]). СРАМ задржава садржај све док има струје и има једноставан интерфејс, али му је потребно шест транзистора по биту. Динамички РАМ има компликованији интерфејс и контроле, и потребни су му чести циклуси освежавања, како се ускладиштени подаци не би изгубили. Са друге стране, ДРАМ користи само један транзистор и кондензатор по биту, што му омогућава да има много већу густину и да, са више битова по чипу, буде јефтинији. СРАМ није погодан за системску меморију десктоп рачунара, где ДРАМ доминира, али се ипак користи као кеш тих меморија. СРАМ је чест у малим, наменским системима, којима обично треба десетине килобајта или мање. Нове технологије непостојаних меморија би требало да се такмиче или потпуно замене СРАМ и ДРАМ на тржишту, а у њих спадају [[З-РАМ]], [[ТТРАМ]], [[А-РАМ]] и [[ЕТА-РАМ]].
 
== Постојана меморија ==