З-РАМ — разлика између измена
Садржај обрисан Садржај додат
м Робот: додато {{subst:User:Autobot/sandbox2}} |
м Уклањање сувишних унутрашњих веза; козметичке измене |
||
Ред 3:
'''Зеро-капацитор РАМ''' (нула кондензатора) је нова [[ДРАМ]] технологија развијена од фирме Иноватив Силикон, која се базира на [[Ефекат плутајућег тела|ефекту плутајућег тела]] технологије силикона на изолатору ([[СОИ]]). З-РАМ технологију је заштитио [[AMD|АМД]] за могућу будућу употребу у [[процесор|процесорима.]] Иноватив Силикон тврди да технологија нуди приступ меморији сличан класичној [[Статички РАМ|СРАМ]] меморији са шест [[транзистор]]а, али користи само један транзистор па омогућава доста већу густину паковања.
З-РАМ се ослања на ефекат плутајућег тела, ефекат СОИ технологије која поставља транзисторе у изоловане тубе. Овај ефекат изазива појаву промењиве [[кондензатор|капацитивности]] између дна тубе и подлоге, што је био проблем у пробитним дизајнерским решењима. Међутим исти ефекат омогућава производњу ДРАМ-олике ћелије без додатног кондензатора, јер овај ефекат одрађује исти посао као и кондензатор у нормалној ДРАМ ћелији. Пошто се кондензатор налази испод транзитора (уместо поред, или изнад као у нормалној
Смањена величина ћелије значи да је З-РАМ бржи чак и од СРАМ<ref>[http://www.digitimes.com/bits_chips/a20060328PR202.html The case for Z-RAM: Q&A with memory specialist Innovative Silicon]</ref> меморије ако се користи у довољно великим блоковима. Иако су појединачне СРАМ ћелије брже од З-РАМ ћелија, знатно мања величина З-РАМ ћелија омогућава доста мање блокове и тиме смањује физички пут који подаци морају да пређу како би напустили меморијски блок. Како ови трагови метала имају фиксно кашњење по јединици дужине независно од меморијске технологије, због краће дужине З-РАМ трагова сигнала се може изједначити са бржим СРАМ временом приступа. За велику [[Кеш меморија|кеш меморију]] (каква се обично налази на процесорима са великим перформансама), З-РАМ нуди еквивалентну брзину као СРАМ али захтева мање места, па му је и цена мања. Изумитељи тврде да су постигли време одзива од само три [[Нано секунда|нано секунде]].
Ред 11:
У марту 2010, Иноватин Силикон је изјавио да развија З-РАМ који се не заснива на СОИ технологији, и који би могао да се производи на бази балк ЦМОС технологије.
Фирма Хиникс, која производи ДРАМ, је такође заштитила З-РАМ за коришћење на ДРАМ чиповима<ref>[http://www.dailytech.com/Hynix+Licenses+ISi+ZRAM+Technology+for+Future+DRAM+Chips/article8395.htm Hynix Licenses ISi Z-RAM Technology for Future DRAM Chips]</ref>.
Ред 22:
== Спољашње везе ==
* [http://www.cieonline.co.uk/cie2/articlen.asp?pid=518&id=5434 No-capacitor DRAM doubles memory density]
[[Категорија:Рачунарска меморија]]
| |||