Полупроводнички ласери — разлика између измена

нема резимеа измене
* Др Роберт Редикер - МИТ Линколн Лабораторија, (Лексингтон - Масачусетс)<br>
<p>Први реализовани полупроводнички ласери су радили на ниским температурама у импулсном режиму, да би се годину дана касније произвели за рад у континуалном режиму. Пут даљем развоју и ефикаснијој емисији отворила су 1963 године, тројица научника [[Херберт Кремер|Х. Кремер]], [[Жорес Иванович Алферов|Ж. Алферов]] и [[Р. Казаринов]] предлогом о ласерским диодама са хетеростуктуром. Тим руског научника Алферова, 1968 је извео први импулсни [[ласер]] са дуплом хетероструктуром, да би већ 1970, демонстрирао рад првог континуалног полупроводничког ласера на собној температури. Ласерске диоде су још увек биле далеко од практичне примене. Био је потребан велики број открића да би довели полупроводничке ласере на данашњи технолошки ниво.<br></p>
Хронологија важнијих открића:<br>
Неки важнији датуми:<br>
*1970. [[Лео Есаки|Л. Есаки]] и [[Р.Тсу]]: Прва -{quantum well}- структура<br>
*1978. [[D.R.Scifres|Д.Р.Скифрес]]: Рад ласерске диоде -{GaAlAs/GaAs}- на собној температури, базиране на -{quantum well}- структури.<br>