Solarna fotonaponska energija — разлика између измена

Na ovakav način [[sunčane ćelije]] proizvode [[napon]] oko 0.5-0.7 -{V}- uz [[gustina struje|gustonu struje]] od oko nekoliko desetaka -{mA/cm}-² zavisno od snage sunčevog zračenja, ali i o [[spektar|spektru]] zračenja.

 

 

:<math>\eta\,=\frac{P_{el}}{P_{sol}}=\frac{U\cdot I}{E\cdot A}</math>

* Polikristalne -{Si}- ćelije: ovaj tip ćelije može pretvoriti 1000 -{W/m2}- sunčevog zračenja u 130 -{W}- električne energije s površinom ćelija od -{1 m2}-. Proizvodnja ovih ćelija je ekonomski efikasnija u odnosu na monokristalne. Tekući silicijum se uliva u blokove koji se zatim režu u ploče. Tokom skrućivanja materijala stvaraju se kristalne strukture različitih veličina na čijim granicama se pojavljuju greške, zbog čega solarna ćelija ima manju iskoristivost.

 

 

* Galijum arsenidne (-{GaAs}-) ćelije: galijum arsenid je [[poluprovodnik]] napravljen iz mešavine [[galijum]]a i [[arsen]]a. Pogodan je za upotrebu u višeslojnim i visoko učinkovitim ćelijama. Širina zabranjene vrpce (band gap) je pogodna za jednoslojne solarne ćelije. Ima visoku apsorpciju pa je potrebna debljina od samo nekoliko mikrona da bi apsorbovao sunčeve zrake. Relativno je neosetljiv na toplotu u upoređenju sa -{Si}- ćelijama. Zbog visoke cene koristi se u svemirskim programima i u sastavima s koncentrisanim zračenjem gde se štedi na ćelijama. Projekti koncentrisanog zračenja su još u fazi istraživanja. Galijum indijum fosfidna/galijum arsenid -{(GaInP)/GaAs}- dvoslojna ćelija ima iskoristivost od 30% i koristi se u komercijalne svrhe za svemirske aplikacije. Ovaj tip ćelije može pretvoriti 1000 -{W/m²}- sunčevog zračenja u 300 -{W}- električne energije sa površinom ćelija od 1 -{m²}-.

* [http://www.eihp.hr/hrvatski/e_obnovljivi.htm Obnovljivi izvori energije]

 

<references />