Кристална структура — разлика између измена

Садржај обрисан Садржај додат
.
Ред 224:
[[Датотека:Sphalerite-unit-cell-depth-fade-3D-balls.png|мини|десно|Кристална структура сфалерита.]]
{{Главни чланак|Сфалерит}}
Кристална стуктура сфалерита ({{јез-енгл|Zincblende structure}}) заједно са структуром решетке дијаманта чине две најважније структуре решетки [[Полупроводник|полупроводнчких]] материјала. Дијамантска структура код силицијума и германијума (-{Si, Ge}-), а структура код галијум арсенида (-{GaAs}-) се кристализујекрстализује у стуктуру сфалерита. Обе имају под два атома у основи, док атоми заузимају тетраедарску структуру, тј. сваки атом је окружен са четири најближа суседа који леже у теменима тетраедра. Стуктура сфалерита се као и структура дијаманта може сматрати модификацијом површинско центричне кубичне структуре. Разлика између њих је то што су у дијамантској решетки сви атоми су истог елемента, рецимо сликицјума, док код струкуре сфалерита на пр. код галијум арсенида (-{GaAs}-) у ценру тетраедра се налази један елемент који је окружен са четири атома другог елемента. Галијум арсенида припада једињењима елемената -{III}- и -{V}- групе у периодном систему елемената и већина ових једињења се кристализује у стуктура сфалерита. Међутим велик број полупроводничких материјала укључујући и нека једињења из -{III-V}- групе се кристалишу у структуру натријум хлорида.
 
=== Хексагонални кристални систем ===