[[RAM (меморија)|Меморија са случајним приступомРАМ]] са два [[транзистор]]a ('''ТТРАМ''') је нови (2005) тип рачунарске меморије коју развија фирма Ренесас.<ref>{{Cite web |url=http://eu.renesas.com/fmwk.jsp?cnt=press_release26sep2005.htm&fp=%2Fcompany_info%2Fnews_and_events%2Fpress_releases |title=Renesas Technology develops capacitorless twin-transistor RAM, enabling faster, more power-efficient embedded memory for SoC devices |access-date=03. 09. 2018 |archive-url=https://web.archive.org/web/20090425014632/http://eu.renesas.com/fmwk.jsp?cnt=press_release26sep2005.htm&fp=%2Fcompany_info%2Fnews_and_events%2Fpress_releases |archive-date=25. 04. 2009 |url-status=dead |df= }}</ref>
ТТРАМ је сличан обичној [[ДинамичкаДинамички меморија са случајним приступомРАМ|ДРАМ]] меморији са једним транзистором и кондензатором по концепту, али елиминише [[кондензатор]] тако што се ослања на СОИ процес производње. Овај ефекат ствара капацитет између транзистора и подлоге, на шта се раније гледало као на сметњу. Пошто је транзистор направљен помоћу СОИ технологије нешто мањи од кондензатора, ТТРАМ нуди веће густине од обичног ДРАМаДРАМ-а. ТТРАМ је у теорији јефтинији зато што је густина повезана са ценом. Али захтев да се ова меморија прави на СИО фабричким линијама, чини да цена буде непредвидива.
У ТТРАМ меморијској ћелији, два транзистора су повезана на СИО субстрат. Први је приступни транзистор, док је други транзистор за складиштење и извршава исту функцију као и кондензатор у нормалној ДРАМ ћелији. Писање и читање података се врши према проводљивом стању приступног транзистора и стању плутајућег тела транзистора за складиштење. Чињеница да ТТРАМ меморијска ћелија не захтева степ-ап напон или негативан напон, као што ДРАМ захтева, чини нови дизајн ћелија одговарајућим за коришћење у будућим процесорима на нижим радним напонима.
