Википедија

Фотодиода — разлика између измена

Интерактиван преглед историје
← Старија изменаНовија измена →
Садржај обрисан Садржај додат
ВизуелноВикитекст
Ред 18:
Иако је овај режим бржи, фотокондуктивни режим може да покаже више електронског шума услед тамних струја или ефеката лавине.<ref>{{cite web | url =http://www.pacer.co.uk/Assets/Pacer/User/Photodiodes.pdf | title =Photodiode Application Notes – Excelitas – see note 4 | access-date =2014-11-13 | archive-url =https://web.archive.org/web/20141113175955/http://www.pacer.co.uk/Assets/Pacer/User/Photodiodes.pdf | archive-date =2014-11-13 | url-status =dead }}</ref> Струја цурења добре PIN диоде је толико ниска (&lt;1 nA) да [[Johnson–Nyquist noise|Џонсон-Најквистов шум]] отпора оптерећења у типичном колу често доминира.
 
== Сродни уређаји ==
==Related devices==
 
with structure optimized for operating with high reverse bias, approaching the reverse breakdown voltage. This allows each ''photo-generated'' carrier to be multiplied by [[avalanche breakdown]], resulting in internal gain within the photodiode, which increases the effective ''responsivity'' of the device.<ref name="pears2">{{cite book|last1=Pearsall|first1=Thomas|last2=Pollack|first2=Martin|title=Compound Semiconductor Photodiodes, Semiconductors and Semimetals, Vol 22D|publisher=Elsevier|date=1985|pages=173–245|url=https://www.sciencedirect.com/bookseries/semiconductors-and-semimetals/vol/22/part/PD|doi=10.1016/S0080-8784(08)62953-1}}</ref>[[File:IEEE 315-1975 (1993) 8.6.16.svg|100px|thumb|Electronic symbol for a phototransistor]]
Лавинске диоде су фотодиоде са структуром оптимизованом за рад са великим реверзним пристрасношћу, приближавајући се обрнутом пробојном напону.<ref>{{Cite web |url=http://jqrmag.com/en/jqr-interview-eng/jun-ichi-nishizawa-engineer-sophia-university-special-professor/ |title=Jun-ichi Nishizawa - Engineer, Sophia University Special Professor - JAPAN QUALITY REVIEW |access-date=2017-05-15 |archive-url=https://web.archive.org/web/20180721043727/http://jqrmag.com/en/jqr-interview-eng/jun-ichi-nishizawa-engineer-sophia-university-special-professor/ |archive-date=2018-07-21 |url-status=dead }}</ref> Ово омогућава да се сваки ''фото-генерисани'' носач помножи [[avalanche breakdown|лавинским прекидом]], што резултира унутрашњим појачањем унутар фотодиоде, што повећава ефективну ''реакцију'' уређаја.<ref name="pears2">{{cite book|last1=Pearsall|first1=Thomas|last2=Pollack|first2=Martin|title=Compound Semiconductor Photodiodes, Semiconductors and Semimetals, Vol 22D|publisher=Elsevier|date=1985|pages=173–245|url=https://www.sciencedirect.com/bookseries/semiconductors-and-semimetals/vol/22/part/PD|doi=10.1016/S0080-8784(08)62953-1}}</ref>
A '''phototransistor''' is a light-sensitive transistor. A common type of phototransistor, the ''bipolar phototransistor'', is in essence a [[bipolar transistor]] encased in a transparent case so that [[light]] can reach the ''base–collector [[p–n junction|junction]]''. It was invented by Dr. [[John N. Shive]] (more famous for his [[Shive wave machine|wave machine]]) at Bell Labs in 1948<ref name="crystal-fire">{{cite book |year=1998
 
[[File:IEEE 315-1975 (1993) 8.6.16.svg|100px|thumb|Електронски симбол за фототранзистор]]
 
'''Фототранзистор''' је транзистор осетљив на светлост. Уобичајени тип фототранзистора, ''биполарни фототранзистор'', је у суштини [[bipolar transistor|биполарни транзистор]] затворен у провидно кућиште тако да [[светлост]] може доћи до споја ''база-колектор''. Измислио га је др [[John N. Shive|Џон Н. Шив]] (познатији по својој [[Shive wave machine|таласној машини]]) у Беловим лабораторијама 1948. године,<ref name="crystal-fire">{{cite book |year=1998
| title = Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age
| isbn = 9780393318517
|author1=Riordan, Michael |author1-link=Michael Riordan (physicist) |author2=Hoddeson, Lillian |author2-link=Lillian Hoddeson
}}</ref>{{rp|205}} butали itје wasто notобјављено announced untilтек 1950. године.<ref>{{cite journal
| url = http://www.smecc.org/phototransistor.htm
| title = The phototransistor
| date = May 1950
| journal = Bell Laboratories Record
}}</ref>
 
A '''[[solaristor|Соларистор]]''' isје aфототранзистор two-terminalса gate-lessдва phototransistor.терминала Aбез compactкапије. class of two-terminal phototransistors or solaristors have been demonstrated in 2018 byИстраживачи [[Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2)|ICN2]] researchersсу 2018. Theдемонстрирали novelкомпактну conceptкласу isфототранзистора aса two-in-oneдва powerтерминала sourceили plusсолариста. transistorНови deviceконцепт thatје runsдва onу solarједном energyизвор byнапајања exploitingплус aтранзисторски memresistiveуређај effectкоји inради theна flowсоларну ofенергију користећи мемресистивни ефекат у току photogeneratedфотогенерисаних carriersносача.<ref>{{Cite journal|last1=Pérez-Tomás|first1=Amador|last2=Lima|first2=Anderson|last3=Billon|first3=Quentin|last4=Shirley|first4=Ian|last5=Catalan|first5=Gustau|last6=Lira-Cantú|first6=Mónica|title=A Solar Transistor and Photoferroelectric Memory|journal=Advanced Functional Materials|volume=28|issue=17|pages=1707099|language=en|doi=10.1002/adfm.201707099|issn=1616-3028|year=2018|url=http://ddd.uab.cat/record/215011|hdl=10261/199048|hdl-access=free}}</ref>
 
== Unwanted and wanted photodiode effects ==
Преузето из „https://sr.wikipedia.org/wiki/Фотодиода”