Полупроводнички ласери — разлика између измена

м
Разне исправке
м (Бот Додаје: sl:Polprevodniški laser)
м (Разне исправке)
 
==Историјат==
<p>Идеја о полупроводничким [[ласер|ласерима]] предложена је 1957. године од стране руског научника [[Николај Генадијевич Басов|Н. Басова]]. Ускоро, крајем 1962. године, пратећи теоретске анализе и предлог Басова и Думкеа у року од тридесет дана радници у четри лабораторије у САД независно демонстрирају своје верзије полупроводничких ласера.<br></p>
* Др [[Роберт Н. Хол]] - Истраживачки развојни центар Џенерал Електрик (Њујорк)<br>
* Др [[Ник Холоњак]], млађи. - Индустријски центар Џенерал Електрик, (Сиракуза - Њујорк)<br>
* Др Маршал Нејтан - ИБМ Истраживачка лабораторија, (Јорктаун Хајтс - Њујорк)<br>
* Др Роберт Редикер - МИТ Линколн Лабораторија, (Лексингтон - Масачусетс)<br>
<p>Први реализовани полупроводнички ласери су радили на ниским температурама у импулсном режиму, да би се годину дана касније произвели за рад у континуалном режиму. Пут даљем развоју и ефикаснијој емисији отворила су 1963. године, тројица научника [[Херберт Кремер|Х. Кремер]], [[Жорес Иванович Алферов|Ж. Алферов]] и [[Р. Казаринов]] предлогом о ласерским диодама са хетеростуктуром. Тим руског научника Алферова, 1968 је извео први импулсни [[ласер]] са дуплом хетероструктуром, да би већ 1970, демонстрирао рад првог континуалног полупроводничког ласера на собној температури. Ласерске диоде су још увек биле далеко од практичне примене. Био је потребан велики број открића да би довели полупроводничке ласере на данашњи технолошки ниво.<br></p>
Хронологија важнијих открића:<br>
*1970. [[Лео Есаки|Л. Есаки]] и [[Р. Тсу]]: Прва -{quantum well}- структура<br>
*1978. [[D.R.Scifres|Д. Р. Скифрес]]: Рад ласерске диоде -{GaAlAs/GaAs}- на собној температури, базиране на -{quantum well}- структури.<br>
*1979. [[Х. Сода]]: Површинско емитујућа (-{surface-emitting}-) ласерска диода (-{Vertical Cavity Surface Emitting Lasers}-)<br>
*1981. [[F.Koyama|Ф. Којама]]: Ласерске диоде са дистрибуираним Браговим рефлектором (ДБФ), -{GaInAsP/InP}-, емитована таласна дужина 1.58 -{μm}-.<br>
*1985. [[K.Iga|К. Ига]]: -{VCSEL}- (-{GaAlAs/GaAs}-) ласер диода, рад у импулсном режиму на собној температури.<br>
*1991. [[M.Haase|М. Хасе]]: први краткотрајни рад плаво-зелене емитујуће ласерске диоде на принципу II-VI полупроводника -{ZnSe}-<br>
*1996. [[С. Накамура]]: први ефикасан плаво емитујући ласер при раду на собној температури базиран на полупроводницима III-V грпе, -{GaN}- <br>
<p>Данас, полупроводнички ласери представљају практично једну од најбитнијих оптоелектронских направа: [[оптичке фибер комуникације]] и оптичко скадиштење података, а исто тако су широко распрострањени у низу апликација у многим областима. Овај успех је очекиван, с’обзиром на чињеницу да се пумпање полупроводничких ласера врши на тај начин што се пропушта струја кроз њих на одговарајућем напонском нивоу.</p>
==Принцип рада описан на примеру ласерске диоде са дуплим хетероспојем==
1.572.075

измена