Полупроводнички ласери — разлика између измена

м
Разне исправке
м (Разне исправке)
м (Разне исправке)
-{GaAs / Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As}- ласер
<p>Активна средина је -{GaAs}- налази се у сендвичу између две средине -{Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As}- П и Н типа.
Најбитнија особина ове структуре је то што се активна средина понаша као потенцијална (квантна) јама за електорне, са висином баријере -{ΔEc}- и за шупљине са висином -{ΔEv}- . Енергетски раскорак одређује фактор -{x}- при допирању -{Al}- у -{Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As}-.
Систем побуђујемо тако што на изведене контакте прикључујемо напон (пропуштамо струју), овакав начин побуде представља главну предност ових направа у поређењу са конкурентним технологијама. Процес појаве стимулисаног зрачења се врши путем инјекције електрона (са Н стране) односно шупљина (са П стране) у потенцијалну јаму, што изазива инверзију насељености чиме су услови испуњени. Активни регион се сада понаша као појачавач зрачења услед постојања стимулисане емисије. Да би се постигло максимално појачање, емитовану светлост је потребно ограничити на што ужи део активне средине, јер зрачење које се креће ван не утиче на појачање.
Ово ограничење је постигнуто само по себи услед постојања таласоводног ефекта (-{waveguide effect}-), који произилази из чињенице да на границама активне средине имамо дисконтинуитет енергија проводних и валентних зона што узрокује повећање индекса рефлексије. Имамо да се -{Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As/ GaAs/ Ga<sub>1-y</sub>Al<sub>y</sub>As}- понаша као диелектрични таласовод са енергијом зрачења концентрисаном у активном региону -{GaAs}-.
1.572.075

измена