Amorfnost — разлика између измена

Ako je velicinaveličina kristala mala onda je teskoteško napraviti razliku izmedju amorfnih tijela i kristala. I amorfna tijela imaju neku uredjenost cesticačestica na malim rastojanjima atomskih velicinaveličina zbog prirode hemijskih veza. Takodje u veoma malim kristalima veliki broj molekula je rasporedjeno uglavnom na povrsinipovršini ili blizu povrsinepovršine, zato stošto efekti dejstva povrsinepovršine vrsevrše distorziju pozicije cesticačestica stošto smanjuje uredjenost cesticačestica. Cakčak i pri najnaprednijim tehnikama odredjivanja strukture, kao stošto je difrakcija X zracima i prenos elektronskim mikroskopom, postoji teskocateškoca pri odredjivanju da li se radi o kristalnom ili amorfnom tijelu na duzinama koje su atomskog reda.

Amorfne faze su vazni dijelovi tankih filmova, koji su cvrstičvrsti slojevi debljine nekoliko nanometara do nekoliko desetina mikrometara koji su naneseni na supstrat. Za opisivanje mikrostrukture keramike i tankih filmova su razvijeni strukturni modeli zona kao funkcije homologne temperature T_k koja predstavlja odnos temperature talozenjataloženja i temperature topljenja. Prema ovim modelima potreban (ali ne i dovoljan uslov) za pojavljivanje amorfne faze je da T_k mora biti manje od 0.3 tj. da temperatura talozenjataloženja mora biti niza od 30% temperature topljenja. Za veceveće vrijednosti, povrsinskapovršinska difuzija izdvojenih atomskih vrsta bi omogucilaomogućila formiranje kristala sa visokom uredjenoscuuređenoscu atoma.

Sto se ticetiče specificnespecifične primjene, amorfni metalni slojevi su igrali vaznuvažnu ulogu u diskusiji o navodnoj superprovodljivosti amorfnih metala. Danas se optickioptički pokrivacipokrivači koji se prave od TiO₂, SiO₂, Ta₂O₅ itd. i njihove kombinacije se vecinomvećinom sastoje od amorfnih faza ovih komponenata. Tanki amorfni filmovi se takodjetakođe primjenjuju za razdvajanje gasa kod slojeva membrana. Uglavnom su napravljeni od tankog sloja slojeva SiO₂ koji su debeli nekoliko nm koji sluzesluže kao izolator iznad provodnog kanala MOSFET-a. TakodjeTakođe, hidrogenizovani amorfni silicijum tj. a-Si:H ima tehnickutehničku primjenu u solarnim celijamaćelijama na bazi tankih filmova. Kod a-Si:H nedostatak uredjenostiuređenosti izmedjuizmeđu atoma silicijuma se javlja zbog prisustva vodonika u vidu nekoliko procenata.

Pojavljivanje amorfnih faza je takodje vazno u proucavanjuproučavanju rasta tankih filmova. Rast polikristalnih filmova cestočesto pocinjepočinje amorfnim slojaslojem, cijačija debljina mozemože biti samo nekoliko nm. Najbolje ispitan primjer je tanki polikristalni silicijumski film gdje je pocetnipočetni amorfni sloj posmatran u mnogim ispitivanjima. Komadi polikristala su identifikovani pomocupomoću transmisionog elektronskog mikroskopa i uocenouočeno je da rastu iz amorfnog sloja nakon stošto amorfni sloj dostigne odredjenuodređenu debljinu, cijačija precizna vrijednost zavisi od temperature izdvajanja, pritiska i raznih drugih parametara. Ovaj fenomen je interpretiran u okviru Ostvladovih pravila o stanjima koje predvidjapredviđa formiranje manje stabnilnihstabilnih faza koje tokom vremena kondenzacija prelaze u stabilnije oblike. Eksperimentalna proucavanjaproučavanja ovog fenomena zahtijevaju odredjenoodređeno stanje povrsinepovršine supstrata i njegovu gustinu nakon koje se stvara tanki film.