Amorfnost — разлика између измена

нема резимеа измене
 
==Nanostrukturni materijali==
Ako je veličina kristala mala onda je teško napraviti razliku izmedju amorfnih tijela i kristala. I amorfna tijela imaju neku uredjenost čestica na malim rastojanjima atomskih veličina zbog prirode hemijskih veza. Takodje u veoma malim kristalima veliki broj molekula je rasporedjeno uglavnom na površini ili blizu površine, zato što efekti dejstva površine vrše distorziju pozicije čestica što smanjuje uredjenost čestica. čakČak i pri najnaprednijim tehnikama odredjivanja strukture, kao što je difrakcija X zracima i prenos elektronskim mikroskopom, postoji teškoca pri odredjivanju da li se radi o kristalnom ili amorfnom tijelu na duzinama koje su atomskog reda.
 
==Amorfni tanki filmovi==
Amorfne faze su vazni dijelovi tankih filmova, koji su čvrsti slojevi debljine nekoliko nanometara do nekoliko desetina mikrometara koji su naneseni na supstrat. Za opisivanje mikrostrukture keramike i tankih filmova su razvijeni strukturni modeli zona kao funkcije homologne temperature T<sub>k</sub> koja predstavlja odnos temperature taloženja i temperature topljenja. Prema ovim modelima potreban (ali ne i dovoljan uslov) za pojavljivanje amorfne faze je da T<sub>k</sub> mora biti manje od 0.3 tj. da temperatura taloženja mora biti niza od 30% temperature topljenja. Za veće vrijednosti, površinska difuzija izdvojenih atomskih vrsta bi omogućila formiranje kristala sa visokom uređenoscu atoma.
 
StoŠto se tiče specifične primjene, amorfni metalni slojevi su igrali važnu ulogu u diskusiji o navodnoj superprovodljivosti amorfnih metala. Danas se optički pokrivači koji se prave od TiO<sub>2</sub>, SiO<sub>2</sub>, Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub> itd. i njihove kombinacije se većinom sastoje od amorfnih faza ovih komponenata. Tanki amorfni filmovi se takođe primjenjuju za razdvajanje gasa kod slojeva membrana. Uglavnom su napravljeni od tankog sloja slojeva SiO<sub>2</sub> koji su debeli nekoliko nm koji služe kao izolator iznad provodnog kanala MOSFET-a. Takođe, hidrogenizovani amorfni silicijum tj. a-Si:H ima tehničku primjenu u solarnim ćelijama na bazi tankih filmova. Kod a-Si:H nedostatak uređenosti između atoma silicijuma se javlja zbog prisustva vodonika u vidu nekoliko procenata.
 
Pojavljivanje amorfnih faza je takodje vazno u proučavanju rasta tankih filmova. Rast polikristalnih filmova često počinje amorfnim slojem, čija debljina može biti samo nekoliko nm. Najbolje ispitan primjer je tanki polikristalni silicijumski film gdje je početni amorfni sloj posmatran u mnogim ispitivanjima. Komadi polikristala su identifikovani pomoću transmisionog elektronskog mikroskopa i uočeno je da rastu iz amorfnog sloja nakon što amorfni sloj dostigne određenu debljinu, čija precizna vrijednost zavisi od temperature izdvajanja, pritiska i raznih drugih parametara. Ovaj fenomen je interpretiran u okviru Ostvladovih pravila o stanjima koje predviđa formiranje manje stabilnih faza koje tokom vremena kondenzacija prelaze u stabilnije oblike. Eksperimentalna proučavanja ovog fenomena zahtijevaju određeno stanje površine supstrata i njegovu gustinu nakon koje se stvara tanki film.