Полупроводнички ласери — разлика између измена

м
ispravke
м (разне исправке; козметичке измене)
м (ispravke)
<p>Полупроводнички ласери су базирани на једном од четри типа материјала, у зависности од таласне дужине региона од интереса.
Три типа материјала представљају једињења елемената -{III-V}- групе периодичне табеле елемената. У кристалу који оформљавају, елементи -{[[13. група хемијских елемената|IIIA]]}- групе имају примају једнан електрон док елементи -{[[15. група хемијских елемената|VA]]}- групе имају вишак. Трећа колона садржи -{[[Алуминијум|Al]], [[Индијум|In]], [[Галијум|Ga]]}- и -{[[Талијум|Tl]]}-, док пета садржи -{[[Азот|N]], [[Фосфор|P]], [[Арсен|As]]}- и -{[[Антимон|Sb]]}-. Ласери који припадају овој категорији су базирани на принципу рада ласера на -{GaAs}-, за широк опсег ласера у блиском инфра-црвеном спектру па све до видљивог спектра користећи -{GaAs/AlGaAs}- вишеслојне материјале, код којих је процеп -{1.43 eV}-. Индијум фосфид, -{InP}- са процепом од -{1.35eV}- користи се за постизање таласних дужина од -{1.5 μm}-, у структури са -{InP/InGaAsP}-. -{GaN}- има енергетски процеп од -{3.49 eV}- што омогућава развој плавих у ултраљубичастих ласера.</p>
Листа неколико једнињења (са енергијама процепа) дата је у табели <br />
 
{| class=wikitable style="text-align:center"
1.572.075

измена