Полупроводничка меморија — разлика између измена

Садржај обрисан Садржај додат
м ispravke
Autobot (разговор | доприноси)
м Разне исправке; козметичке измене
Ред 1:
{{РАФ102013}}
{{Memory types}}
 
Линија 16 ⟶ 15:
| doi =
| id =
|id=ISBN 879232940387-92329-40-3}}</ref> Ово контрастује скадиштима података као што су [[hard disk]] и [[compact disk|CDs]] који читају и пишу податке редом и тако да подаци могу бити приступљени само по реду по коме су писани. Полупроводничка меморија такође има много већу [[брзину приступа]] подататака од било ког другог типа складишта; [[бајт]] меморије може се уписати/прочитати у року од [[наносекунде]], док се брзина меморија ротирајућег диска мери у милисекундама. Из ових разлога користи се као главна [[рачунарска меморија]] (примарно складиште), за податке са којима рачунар тренутно ради, између осталог.
 
[[Регистри са сменом]], [[процесорски регистри]], [[бафери података]] и остали мали регистри који немају [[декодер адреса|механизам декодирања меморијске адресе]] се не сматрају као меморија иако складиште дигиталне податке.
Линија 45 ⟶ 44:
| doi =
| id =
|id=ISBN 818431509081-8431-509-0}}</ref><ref name="Arora">{{cite book
| last = Arora
| first = Ashok
Линија 56 ⟶ 55:
| doi =
| id =
|id=ISBN 817008971981-7008-971-9}}</ref>
* '''DRAM''' (''[[Динамичка меморија насумичног приступа]]'') која садржи меморијске ћелије које се састоје од једног [[капацитатора]] и једног транзистора по биту. Ово је најјефтинији и најгушћи, па се користи код многих рачунара као главна меморија. Међутим, [[наелектрисање]] који складишти податке у меморијским ћелијама временом исцури, тако да меморијске ћелије временом морају бити [[memory refresh|освежене]] (преписане). Процес освеживања је аутоматски и неприметан кориснику.
** '''FPM DRAM''' (''[[Dynamic RAM|Fast page mode DRAM]]'') Старији тип асинхроног DRAM-а који се побољшао у односу на претходни тип омогућујући да се приступи једној "страни" брже. Коришћен средином 1990. година.