CMOS — разлика између измена
Садржај обрисан Садржај додат
м ispravke |
|||
Ред 93:
Додатни облик потрошње енергије постаје значајан 1990. године пошто жице на чипу постају уже и дуже жице правећи већи отпор. CMOS врата на крајевима тих отпорних жица виде споре улазне транзиције. У средини ових промена, и NMOS и PMOS логичке мреже су делимично проводне, и струја тече директно од V<sub>dd</sub> до V<sub>SS</sub>. Енергија која се тако користи назива се crowbar енергија. Пажљиви дизаин, који избегава слабе избачене дугачке танке жице, је побољшао овај ефекат, а ''crowbar'' енергија је скоро увек значајно мања него енергија замене.
Да би убрзали дизаин, произвођачи су се окренули ка конструкцијама које имају ниже напонске прагове, али и зато што модерни NMOS транзистор, са V<sub>th</sub> од 200 mV, има значајан подпраг цурења струје. Дизајни (нпр. десктоп процесора) који укључују огроман број кола која се активно не мењају, још увек троше енергију због цурења струје. Цурење енергије је значајан део укупне потрошене енергије са таквим дизајном. Виши праг CMOS (Multi-threshold CMOS - MTCMOS), сада доступан ливницама, је један од приступа управљања церењем енергије. Са MTCMOS, високи V<sub>th</sub> транзистори се користе када брзина замене није критична, док се ниски V<sub>th</sub> транзистори користе за осетљиве путеве брзине. Даљи технолошки напретци, који користе чак и тања диелектрична врата, имају додатну компоненту цурења због [[Тунел ефекат|тунеловања]] струје кроз изузетно танка диелектрична врата. Коришћењем високе к-диелектрике, уместо [[Силицијум диоксид|слицијум диоксида]], добијају се конвенционална диелектрична врата, која дозвољавају сличне перфомансе уређаја али са дебљим изолатором врата, чиме се избегава цурење. Смањење у цурењу енергије коришћењем новог материјала и система дизајна је важан за одржавање квалитета CMOS.<ref>-{A good overview of leakage and reduction methods are explained in the book [http://www.springer.com/engineering/circuits+%26+systems/book/978-0-387-25737-2 Leakage in Nanometer CMOS Technologies]. ISBN 978-0-387-25737-2.}-</ref>
== Аналогни CMOS ==
| |||