EPROM — разлика између измена
Садржај обрисан Садржај додат
Нема описа измене |
м ispravke |
||
Ред 6:
Razvoj EPROM memorije počinje istrživanjem neispravnog integrisanog kola gde je kapija konekcije tranzistora bila pokvarena. Napon na ovim izolovanim kapijama promenio je njihove osobine. EPROM je izumljena od strane Dov Frohman-a u Intelu 1971. koji je nagražen US patentom 3660819 1972.<ref>[http://www.google.com/patents?id=vcwtAAAAEBAJ&printsec=abstract#v=onepage&q&f=false EPROM patent]</ref> [[Датотека:Floating gate transistor.png|thumb]] <!-- not quite the picture I want -->
Svaka lokacija za skladištenje EPROM-a sadrži jedan field-effect tranzistor. Svaki field-effect tranzistor sadrži kanal u telu poluprovodničkog uređaja. Izvorni i odvodni kontakti napravljeni su u regioni na kraju kanala. Izolacioni sloj oksida se nalazi preko kanala, zatim provodna (silikon ili aluminijum) kapija elektrode je deponovana, i dalje je debeo sloj oksida deponovan preko kapije elektroda. Plivajuća kapija elektrode nije povezana sa ostalim delovima integrisanih kola i kompletno je izolovana okruživanjem slojevima oksida. Kontrolna kapija elektrode je deponovana i dalje je prekrivaju oksidi.<ref>Chih-Tang Sah ,'' Fundamentals of solid-state electronics '' World Scientific
Za dobijanje podataka sa EPROM-a, adresa prikazana vrednostima adresnih pinova EPROM-a je dekodirana i koristi se da poveže jednu reč (obično 8-bitni bajt) skladišta na izlazne bafer pojačivače. Svaki bit reči je 0 ili 1, u zavisnosti da li je tranzistora skladištenja uključen ili isključen, provodan ili neprovodan.
Ред 12:
Menjanje stanja field-effect tranzistora kontrolisano je naponom na kontrolnoj kapiji tranzistora. Prisustvno napona na kapiju stvara provodnički kanal u tranzistoru, uključujući ga.U stvari, sačuvani napon na plivajućim kapijama dozvoljava prag napona tranzistora da bude programiran.
Čuvanje podataka u memoriji zahteva biranje određene adrese i apliciranje višeg napona na tranzistore. To stvara lavinu pražnjenja elektrona, koji imaju dovoljno energiju da prođu kroz izolacioni sloj oksida i da se akumuliraju na kapiji elektorde. Kada se visoki napon prekine, elektroni ostaju zarobljeni na kapiji.<ref>Vojin G. Oklobdzija, ''Digital Design and Fabrication'', CRC Press
Proces programiranja nije elektronski reverzibilan. Da bi se obrisali podaci sacuvani u nizu tranzistora, ultra ljubičasta svetlost je usmerena na integrisano kolo. Fotoni UV svetlosti izazivaju jonizaciju unutar silicijum oksida, što omogućuje sačuvanom punjenju da na plivajućoj kapiji da se rasturi. S obzirom da je ceo niz memorije izložen, sva memorija se briše odjednom. Proces traje nekoliko minuta za UV svetlost određene jačine;sunčeva svetlost bi izbrisala čip za nekoliko nedelja, a unutrašnje fluorescentno svetlo za nekoliko godina <ref>{{cite book|author=John E. Ayers|title=Digital Integrated Circuits: Analysis and Design|url=http://books.google.com/books?id=3Sv6mAEACAAJ|year=2004|publisher=CRC Press|isbn=978-0-8493-1951-8|pages=591}}</ref> Generalno EPROM mora biti uklonjen da bi bio izbrisan, s obzirom da nije praktično da se ugradi UV lampa u kolu. EEPROM je razvijen da obezbedi električnu funkciju brisanja i sada uglavnom zamenjuje delove koji se brišu ultraljubičastim svetlom.
Ред 19:
Pošto je kvarcni prozor skup za izradu, jednom programabilni čipovi su predstavljeni;ovde, integrisano kolo je upakovano u neprozirno pakovanje, pa ne može biti obrisano nakon programiranja - ovo takođe eliminiše potrebu da se testira brisanje, što takođe smanjuje troškove. Jednom programabilne verzije EPROM i EEPROM baziranih mikrokontrolera se proizvode. Kako god, jednom programabilni EPROM je brzo zamenio EEPROM za male veličine, gde cena memorijske ćelije nije veoma važna, i Flash za veće veličine.
Programirani EPROM zadržava podatke za najmanje 10 do 20 godina.<ref>* [[Paul Horowitz]] and Winfield Hill, ''The Art of Electronics 2nd Ed. '' Cambridge University Press, Cambridge, 1989,
Brisanje EPROM-a počinje sa talasnom dužinom manjom od 400 nm. Izlaganje sunčevoj svetlosti na nedelju dana ili fluorescentom svetlu na 3 godine može da izazove brisanje. Preporučena procedura brisanja je izlaganje UV svetlosti na 253.7 nm na najmanje 15 W-sek/cm2 na 20-30 minuta, sa lampom na razdaljini od oko 2.5cm.
| |||