Dupla heterostruktura
Dupla heterostruktura je struktura koju formiraju poluprovodnički materijali narastanjem u tri sloja - „sendvič“. Jedan od materijala (kao što je AlGaAs) se koristi za spoljne slojeve (ili obloge), dok se drugi sa manjim energetskim procepom (kao što je GaAs) koristi za unutrašnji među-sloj. Na primer, struktura formirana od dva poluprovodnička materijala AlGaAs i GaAs naraslih na na svakoj od strana unutrašnjeg među-sloja.
Zahteva se da struktura ima dva granična sloja da bi bila heterostruktura. Ako spoj postoji samo na jednoj strani materijala, struktura će biti jednostavna heterostruktura, odnosno spoj (primer PN spoj).
Dupla heterostruktura je veoma primenjivana u optoelektronskim uređaima i napravama, a ima i zanimljivih elektronskih svojstava. Ako je jedan od slojeva obloga p-dopiran, drugi sloj n-dopiran, a poluprovodnički materijal sa manjim energetskim procepom nije dopiran, onda se formira pinskika (PiN) struktura. Kada se na krajeve ove strukture dovede napon, dolazi do formiranja struja, pa se elektroni i šupljine ubrizgavaju (injektuju) u heterostrukturu. Matrijali sa manjim energetskim procepom formiraju diskontinuitet energija na spojevima i time ograničavaju (konfiniraju) kretanje elektrona i šupljina, zadržavajući ih u delu sa manjim energetskim procepom. Elektroni i šupljine se rekombinuju emitujući fotone. Ako je širina energetskog procepa sveden na red veličine de Broljeve talasne dužine, onda u ovoj strukturi igraju ulogu kvantni efekti. Spektar energija je diskretan umesto kontinualan (energetski nivoi su vrlo blizu jedan drugom, tako da se ipak može smatrati da su kvazi-kontinuirano raspoređeni). Ova struktura u ovakvoj formi je vrlo značajna i za eksperimentalna ispitivanja jer igra ulogu kvantne jame.