Stranski-Krastanov epitaksijalni rast
Stranski-Krastanov epitaksijalni rast (SK rast) je jedan od tri osnovna režima epitaksijalnog narastanja tankih filmova na površini kristala ili subctrata. Ovaj vid rasta je poznat i kao „sloj-plus-ostrvo rast“, sledi dva koraka: prvo, narastanje tankih filmova na kristalnom supstratu, debljine jednog, dva do nekoliko monoslojeva koji prekrivaju ceo supstrat, a potom, nakon postizanja kritične debljine slojeva, rastu sledi nukleacija i sjedinjavanje supstrata u ostrvca. Kritična debljina slojeva pri kojim se događa ovo grupisanje supstrata u ostrvca zavisi od koeficienta naprezanja i hemijskog potencijala deponovanih slojeva filma.[1][2] Ovaj mehanizam narastanja su prvi put izveli Ivan Stranski i Ljubomir Krastanov 1939. godine.[3] Ovaj rad je primećen tek 1958. godine, kada je Ernst Bauer objavio rad gde je Stranski-Krastanov rast, svrstao zajedno sa Volmer-Veberovim i Frank-van der Merveovim mehanizmima u primarne procese narastanja tankih filmova. Od tada, ovaj mehanizam rasta je predmet intenzivnih istraživanja ne samo da bi se razumela složena termodinamika i kinetika formiranja jezgara tankih filmova, nego da bi se izučio kao primena za pravljenje naprednijih nanostruktura u mikroelektronskoj industriji.
Vidi još uredi
Reference uredi
- ^ Venables, John (2000). Introduction to Surface and Thin Film Processes. Cambridge: Cambridge University Press. ISBN 978-0-521-62460-2.
- ^ Pimpinelli, Alberto; Jacques Villain (1998). Physics of Crystal Growth. Cambridge: Cambridge University Press. ISBN 978-0-521-55198-4.
- ^ Ivan N. Stranski and L. Von Krastanow, (1939) Abhandlungen der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Klasse. Akademie der Wissenschaften und der Literatur in Mainz, 146, 797.
Literatura uredi
- Pimpinelli, Alberto; Jacques Villain (1998). Physics of Crystal Growth. Cambridge: Cambridge University Press. ISBN 978-0-521-55198-4.
- Venables, John (2000). Introduction to Surface and Thin Film Processes. Cambridge: Cambridge University Press. ISBN 978-0-521-62460-2.