З-РАМ — разлика између измена
Садржај обрисан Садржај додат
мНема описа измене |
м Бот: исправљена преусмерења |
||
Ред 1:
{{nekat}}
'''Зеро-капацитор РАМ''' (нула кондензатора) је нова [[ДРАМ]] технологија развијена од фирме Иноватив Силикон, која се базира на [[Ефекат плутајућег тела|ефекту плутајућег тела]] технологије силикона на изолатору ([[СОИ]]). З-РАМ технологију је заштитио [[AMD|АМД]] за могућу будућу употребу у [[процесор|процесорима.]] Иноватив Силикон тврди да технологија нуди приступ меморији сличан класичној [[Статички РАМ|СРАМ]] меморији са шест [[транзистор]]а, али користи само један транзистор па омогућава доста већу густину паковања.
З-РАМ се ослања на ефекат плутајућег тела, ефекат СОИ технологије која поставља транзисторе у изоловане тубе. Овај ефекат изазива појаву промењиве [[кондензатор|капацитивности]] између дна тубе и подлоге, што је био проблем у пробитним дизајнерским решењима. Међутим исти ефекат омогућава производњу ДРАМ-олике ћелије без додатног кондензатора, јер овај ефекат одрађује исти посао као и кондензатор у нормалној ДРАМ ћелији. Пошто се кондензатор налази испод транзитора (уместо поред, или изнад као у нормалној [[ДРАМ]] меморији), друга конотација имена З-РАМ је да се протеже у негативном правцу [[З оса|з осе]].
| |||