З-РАМ — разлика између измена

Садржај обрисан Садржај додат
м Renamed template
.
Ред 1:
{{Neprovereni seminarski}}
{{nekat}}
'''Зеро-капацитор РАМ''' (нула кондензатора) је нова [[ДРАМ]] технологија развијена од фирме Иноватив Силикон, која се базира на [[Ефекат плутајућег тела|ефекту плутајућег тела]] технологије силикона на изолатору ([[СОИ]]). З-РАМ технологију је заштитио [[AMD|АМД]] за могућу будућу употребу у [[процесор|процесорима.]] Иноватив Силикон тврди да технологија нуди приступ меморији сличан класичној [[Статички РАМ|СРАМ]] меморији са шест [[транзистор]]а, али користи само један транзистор па омогућава доста већу густину паковања.
 
Линија 15 ⟶ 13:
Фирма Хиникс, која производи ДРАМ, је такође заштитила З-РАМ за коришћење на ДРАМ чиповима<ref>[http://www.dailytech.com/Hynix+Licenses+ISi+ZRAM+Technology+for+Future+DRAM+Chips/article8395.htm Hynix Licenses ISi Z-RAM Technology for Future DRAM Chips]</ref>.
 
Иноватив Силикон је угашен 29. јуна 2010. Њихови патенти су пребачени на фирму Микрон технолоџи Децембра 2010<ref>{{cite news|title=Micron gains as floating-body firm closes|url=http://www.eetimes.com/electronics-news/4215982/Micron-gains-as-floating-body-memory-firm-closes|accessdate = 14. 5. 2011.|newspaper=EE Times|date=5/13/2011. 8:035. AM2011 EDT}}</ref>.
 
== Референце ==
Преузето из „https://sr.wikipedia.org/wiki/З-РАМ