Programabilni ROM — разлика између измена

Садржај обрисан Садржај додат
мНема описа измене
Спашавам 1 извора и означавам 0 мртвим. #IABot (v2.0beta10)
Ред 14:
Tipična PROM memorija dolazi sa svim bitovima postavljenim na 1. Paljenjem osigurača bita tokom programiranja izaziva postavljanje bita na vrednost 0. Memorija može biti programirana samo jednom nakon proizvodnje "udaranjem" osigurača, što je bespovratni proces. Udaranje osigurača otvara povezanost dok programiranje i antiosigurač zatvara povezanost(odatle i ime). Pošto je "udarene" osigurače nemoguće vratiti na prvobitno stanje, često je moguće promeniti sadržaj memorije "udaranjem" ostalih osigurača, menjajući preostale bitove vrednosti 1 na 0 (jednom kada se svi bitovi postave na vrednost 0, nema daljeg menjanja memorije).
 
Ćelija bita programira se apliciranjem visokog napona neuobičajenog tokom normalnog rada memorije preko kapije i podloge tankog oksidnog tranzistora(oko 6V za 2nm tankog oksida, ili 30MV/cm) da se razbije oksid između kapije i podloge. Pozitivan napon na tranzistorskoj kapiji formira inverziju kanala u podlozi ispod kapije, izazivajući tunelovanje struje da teče kroz oksid. Struja proizvodi dodatne zamke u oksidu, povećavajući struju kroz oksid i rastapanje oksida i formiranje kondutivnog kanala kroz kapiju do podloge. Struja zahteva da oblik kondutivnog kanala bude oko 100µA/100nm2 i da do razbijanja dođe oko 100µs ili manje<ref>{{Cite web |url=http://www.sidense.com/images/stories/designcon_8_a_eval_embedded_nvm_65nm_and_beyond.pdf |title={title}Архивирана копија |access-date=05. 01. 2014 |archive-url=https://web.archive.org/web/20160304025935/http://www.sidense.com/images/stories/designcon_8_a_eval_embedded_nvm_65nm_and_beyond.pdf# |archive-date=04. 03. 2016 |dead-url=yes |df= }}</ref>.
 
== Reference ==