Полупроводничка меморија — разлика између измена
Садржај обрисан Садржај додат
Нема описа измене |
|||
Ред 22:
** '''FPM DRAM''' (''[[Dynamic RAM|Fast page mode DRAM]]'') Старији тип асинхроног DRAM-а који се побољшао у односу на претходни тип омогућујући да се приступи једној "страни" брже. Коришћен средином 1990. година.
** '''EDO DRAM''' (''[[Dynamic RAM|Extended data out DRAM]]'') Старји тип асинхронг DRAM-а, има бржи приступ него код ранијих типова зато што је у могућности да направи нову везу са меморијом док се истој приступа. Коришћен касније 1990. година.
** '''VRAM''' (''[[VRAM|Video random access memory]]'') Старији типш [[dual-ported RAM|
** '''SDRAM''' (''[[Synchronous dynamic random-access memory]]'') Ово је била дезорганизација DRAM меморијског чипа, који је додао тактну линију да би омогућио рад синхроно са рачунарском [[меморијском магистралом]] такта. Подаци на чипу су подељени у ''банкама'' тако да може радити на неколико меморијских приступа у исто време, у различитим банкама. Постао је доминантни тип рачунарске меморије током 2000. године.
*** '''DDR SDRAM''' (''[[DDR SDRAM|Double data rate SDRAM]]'') Ово је била модификација у побољшању ретинга података, омогућујући чипу да пребацује 2 пута више меморије (две истовремене речи) сваким тактом кола [[двоструког пумпања]], трансфером података на оба, ка водећим и задњим ивицама тактног пулса. Екстензије ове идеје су садашње (2012) технике да се повећа рејтинг приступа и опсега режима. Од кад се показало тешко да се даље повећа брзина унутрашњег такта меморијског чипа, ови чипови су повећали трансфером података у већим блоковима:
| |||