Полупроводнички ласери — разлика између измена

 

== Историјат ==

* Др [[Роберт Н. Хол]] - Истраживачки развојни центар Џенерал Електрик (Њујорк)

 

Ивично емитујући ласери имају ласерски сноп паралелан површини региона ПН споја. Типично огледала су направљена користећи се површинама на крајевима кристала од кога су направљени, користећи се расподељеном повратном спрегом унутар самог кристала или расподељеним Браговим рефлектујућим структурама на крајевима. Површински емитујући ласери имају ласерски сноп који се емитује у правцу нормалном на спојни регион тако што се користе вишеслојна Брагова рефлектујућа огледала која су уграђена унутар структуре.</p>

== Материјали ==

Три типа материјала представљају једињења елемената -{III-V}- групе периодичне табеле елемената. У кристалу који оформљавају, елементи -{[[13. група хемијских елемената|IIIA]]}- групе имају примају једнан електрон док елементи -{[[15. група хемијских елемената|VA]]}- групе имају вишак. Трећа колона садржи -{[[Алуминијум|Al]], [[Индијум|In]], [[Галијум|Ga]]}- и -{[[Талијум|Tl]]}-, док пета садржи -{[[Азот|N]], [[Фосфор|P]], [[Арсен|As]]}- и -{[[Антимон|Sb]]}-. Ласери који припадају овој категорији су базирани на принципу рада ласера на -{GaAs}-, за широк опсег ласера у блиском инфра-црвеном спектру па све до видљивог спектра користећи -{GaAs/AlGaAs}- вишеслојне материјале, код којих је процеп -{1.43 eV}-. Индијум фосфид, -{InP}- са процепом од -{1.35eV}- користи се за постизање таласних дужина од -{1.5 μm}-, у структури са -{InP/InGaAsP}-. -{GaN}- има енергетски процеп од -{3.49 eV}- што омогућава развој плавих у ултраљубичастих ласера.</p>

Листа неколико једнињења (са енергијама процепа) дата је у табели