Википедија

З-РАМ — разлика између измена

Интерактиван преглед историје
← Старија изменаНовија измена →
Садржај обрисан Садржај додат
ВизуелноВикитекст
мНема описа измене
мНема описа измене
Ред 1:
{{Типови меморије}}
'''Зеро-капацитор РАМ''' (нула кондензатора) је нова [[ДинамичкаДинамички меморија са случајним приступомРАМ|ДРАМ]] технологија развијена од фирме Иноватив Силикон, која се базира на [[Ефекат плутајућег тела|ефекту плутајућег тела]] технологије силикона на изолатору ([[СОИ]]). З-РАМ технологију је заштитио [[AMD|АМД]] за могућу будућу употребу у [[процесор|процесорима.]] Иноватив Силикон тврди да технологија нуди приступ меморији сличан класичној [[Статички РАМ|СРАМ]] меморији са шест [[транзистор]]а, али користи само један транзистор па омогућава доста већу густину паковања.
 
З-РАМ се ослања на ефекат плутајућег тела, ефекат СОИ технологије која поставља транзисторе у изоловане тубе. Овај ефекат изазива појаву промењиве [[кондензатор|капацитивности]] између дна тубе и подлоге, што је био проблем у пробитним дизајнерским решењима. Међутим исти ефекат омогућава производњу ДРАМ-олике ћелије без додатног кондензатора, јер овај ефекат одрађује исти посао као и кондензатор у нормалној ДРАМ ћелији. Пошто се кондензатор налази испод транзитора (уместо поред, или изнад као у нормалној ДРАМ меморији), друга конотација имена З-РАМ је да се протеже у негативном правцу [[З оса|з осе]].
Ред 6:
Смањена величина ћелије значи да је З-РАМ бржи чак и од СРАМ<ref>[http://www.digitimes.com/bits_chips/a20060328PR202.html The case for Z-RAM: Q&A with memory specialist Innovative Silicon]</ref> меморије ако се користи у довољно великим блоковима. Иако су појединачне СРАМ ћелије брже од З-РАМ ћелија, знатно мања величина З-РАМ ћелија омогућава доста мање блокове и тиме смањује физички пут који подаци морају да пређу како би напустили меморијски блок. Како ови трагови метала имају фиксно кашњење по јединици дужине независно од меморијске технологије, због краће дужине З-РАМ трагова сигнала се може изједначити са бржим СРАМ временом приступа. За велику [[Кеш меморија|кеш меморију]] (каква се обично налази на процесорима са великим перформансама), З-РАМ нуди еквивалентну брзину као СРАМ али захтева мање места, па му је и цена мања. Изумитељи тврде да су постигли време одзива од само три [[Нано секунда|нано секунде]].
 
Циљ СОИ технологије су тржишта рачунара са високим перформансама и релативно је скупа у поређењу са [[ЦМОС]] технологијом која се чешће виђа. Циљ З-РАМаРАМ-а је јефтинија кеш меморија на чипу са сличним или истим перформансама што би било одлично ако се докаже да може да функционише на великим обиму производње.
 
У марту 2010, Иноватин Силикон је изјавио да развија З-РАМ који се не заснива на СОИ технологији, и који би могао да се производи на бази балк ЦМОС технологије.
 
АМД је заштитио другу генерацију З-РАМаРАМ-а<ref>[http://www.eetimes.com/electronics-news/4185941/Innovative-Silicon-revamps-SOI-memory-AMD-likes-it Innovative Silicon revamps SOI memory, AMD likes it]</ref> за истраживање и потенцијално коришћење на будућим процесорима, али још увек не планира да почне<ref>[http://www.semiconductor.net/article/316595-GlobalFoundries_Outlines_22_nm_Roadmap.php?nid=3572&source=title&rid=8242135 GlobalFoundries Outlines 22 nm Roadmap]{{Мртва веза|date=08. 2018 |bot=InternetArchiveBot |fix-attempted=yes }}</ref>.
 
Фирма Хиникс, која производи ДРАМ, је такође заштитила З-РАМ за коришћење на ДРАМ чиповима<ref>{{Cite web |url=http://www.dailytech.com/Hynix+Licenses+ISi+ZRAM+Technology+for+Future+DRAM+Chips/article8395.htm |title=Hynix Licenses ISi Z-RAM Technology for Future DRAM Chips |access-date=29. 12. 2013 |archive-url=https://web.archive.org/web/20110708221514/http://www.dailytech.com/Hynix+Licenses+ISi+ZRAM+Technology+for+Future+DRAM+Chips/article8395.htm |archive-date=08. 07. 2011 |url-status=dead |df= }}</ref>.
Преузето из „https://sr.wikipedia.org/wiki/З-РАМ”