Izoelektrična tačka — разлика између измена
Садржај обрисан Садржај додат
Нема описа измене |
Нема описа измене |
||
Ред 22:
==Keramički materijali==
Izoelektrična tačka metalnih oksida koji ulaze u sastav keramike se često koristi u nauci o materijalima u raznim koracima procesuiranja u vodenoj sredini (sinteza, modifikacija itd.). Ove površine koje su prisutne kao koloidi ili kao veće čestice u vodenom rastvoru su uglavnom pokrivene hidroksilnim vrstama M-OH (gdje je M metal kao što je Al, Si itd.). Na pH vrijednostima koje su iznad pl, dominantne vrste na površini su M-O<sup>-</sup>, dok su na pH vrijednostima ispod pl dominantne M-OH<sub>2</sub><sup>+</sup>. Navedene su neke približne vrijednosti uobičajene keramike. Tačne vrijednosti mogu varirati zavisno od faktora materijala kao što je čistoća i faza kao i fizički parametri kao što je temperatura. Precizno mjerenje izoelektrične tačke je teško i zahtijeva precizne tehnike čak i sa modernim metodama. Zbog toga mnogi izvori navode različite vrijednosti izoelektrične tačke ovih materijala.
===Primjeri izoelektričnih tačaka===
Ispod je data lista pH<sub>25°C</sub> izoelektrične tačke na 25 °C za izabrane materijale u vodi:
*volfram(VI) oksid WO<sub>3</sub>: 0.2-0.5
*antimon(V) oksid Sb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>: <0.4 to 1.9
*vanadijum(V) oksid V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>: 1-2
*[[silicijum dioksid]] SiO<sub>2</sub>: 1.7-3.5
*silicijum karbid SiC: 2-3.5
*tantal(V) oksid Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>: 2.7-3.0
*kalaj(IV) oksid SnO<sub>2</sub>: 4-5.5 (7.3)
*cirkon(IV) oksid ZrO<sub>2</sub>: 4-11
*mangan(IV) oksid MnO<sub>2</sub>: 4-5
*delta-MnO<sub>2</sub> 1.5, beta-MnO<sub>2</sub> 7.3
*titanijum(IV) oksid (rutil ili anatas) TiO<sub>2</sub>: 3.9-8.2
*silicijum nitrd Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>: 6-7
Pomiješani oksidi mogu imati izoelektrične tačke koje se između onih koje odgovaraju čistim oksidima. Na primjer izmjeren je pl u iznosu od 4.5 za sintetički pripremljeni amorfni aluminosilikat (Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiO<sub>2</sub>). Primijećeno je da je elektrokinetičko ponašanje površine bilo pretežno od strane Si-OH vrsta što objašnjava relativno nisu pl vrijednost.
| |||