Полупроводнички ласери — разлика између измена

м
Разне исправке
м (r2.7.2+) (Робот мења: id:Diode laser)
м (Разне исправке)
Хронологија важнијих открића:<br>
*1970. [[Лео Есаки|Л. Есаки]] и [[Р. Тсу]]: Прва -{quantum well}- структура<br>
*1978. [[D.R.Scifres|Д. Р. Скифрес]]: Рад ласерске диоде -{GaAlAs/GaAs}- на собној температури, базиране на -{quantum well}- структури.<br>
 
*1979. [[Х. Сода]]: Површинско емитујућа (-{surface-emitting}-) ласерска диода (-{Vertical Cavity Surface Emitting Lasers}-)<br>
*1981. [[F.Koyama|Ф. Којама]]: Ласерске диоде са дистрибуираним Браговим рефлектором (ДБФ), -{GaInAsP/InP}-, емитована таласна дужина 1.58 -{μm}-.<br>
 
*1985. [[K.Iga|К. Ига]]: -{VCSEL}- (-{GaAlAs/GaAs}-) ласер диода, рад у импулсном режиму на собној температури.<br>
 
*1991. [[M.Haase|М. Хасе]]: први краткотрајни рад плаво-зелене емитујуће ласерске диоде на принципу II-VI полупроводника -{ZnSe}-<br>
*1996. [[С. Накамура]]: први ефикасан плаво емитујући ласер при раду на собној температури базиран на полупроводницима III-V грпе, -{GaN}- <br>
 
== Спољашње везе ==
* [http://www.rp-photonics.com/semiconductor_lasers.html -{Encyclopedia of Laser Physics and Technology}-]
 
*[http://www.rp-photonics.com/semiconductor_lasers.html -{Encyclopedia of Laser Physics and Technology}-]
*[http://www.z-laser.com/zlaser_en/allgemein/lasergeschichte -{Laser Development Chronology}-]
*[http://www.ieee.org/organizations/pubs/newsletters/leos/feb03/diode.html -{The Diode Laser—the First Thirty Days Forty Years Ago}-]
1.572.075

измена