Solarna fotonaponska energija — разлика између измена
Садржај обрисан Садржај додат
м Bot: formatiranje referenci |
|||
Ред 61:
* Galijum arsenidne (-{GaAs}-) ćelije: galijum arsenid je [[poluprovodnik]] napravljen iz mešavine [[galijum]]a i [[arsen]]a. Pogodan je za upotrebu u višeslojnim i visoko učinkovitim ćelijama. Širina zabranjene vrpce (band gap) je pogodna za jednoslojne solarne ćelije. Ima visoku apsorpciju pa je potrebna debljina od samo nekoliko mikrona da bi apsorbovao sunčeve zrake. Relativno je neosetljiv na toplotu u upoređenju sa -{Si}- ćelijama. Zbog visoke cene koristi se u svemirskim programima i u sastavima s koncentrisanim zračenjem gde se štedi na ćelijama. Projekti koncentrisanog zračenja su još u fazi istraživanja. Galijum indijum fosfidna/galijum arsenid -{(GaInP)/GaAs}- dvoslojna ćelija ima iskoristivost od 30% i koristi se u komercijalne svrhe za svemirske aplikacije. Ovaj tip ćelije može pretvoriti 1000 -{W/m<sup>2</sup>}- sunčevog zračenja u 300 -{W}- električne energije sa površinom ćelija od 1 -{m<sup>2</sup>}-.
* Kadmijum telurove (-{CdTe}-) ćelije: ovaj tip ćelije može pretvoriti 1000 -{W/m<sup>2</sup>}- sunčevog zračenja u 160 -{W}- električne energije sa površinom ćelija od 1 -{m<sup>2</sup>}- u laboratorijskim uslovima. Kadmijum telurid je jedinjenje elementa: [[metal]]a [[kadmijum]]a i polumetala [[telur]]a. Pogodan za upotrebu u tankim PV modulima zbog fizičkih svojstava i jeftinih tehnologija izrade.
=== Povezivanje ćelija u veće celine ===
| |||